مقاله انگلیسی اثرات میدان مغناطیسی بر روی رشد فیلم متخلخل الومینا روی الومینیوم با ترجمه فارسی در word دارای 21 صفحه می باشد و دارای تنظیمات و فهرست کامل در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله انگلیسی اثرات میدان مغناطیسی بر روی رشد فیلم متخلخل الومینا روی الومینیوم با ترجمه فارسی در word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است
توجه : توضیحات زیر بخشی از متن اصلی می باشد که بدون قالب و فرمت بندی کپی شده است
بخشی از فهرست مطالب پروژه مقاله انگلیسی اثرات میدان مغناطیسی بر روی رشد فیلم متخلخل الومینا روی الومینیوم با ترجمه فارسی در word
چکیده
معرفی
2- ازمایشات
3: نتایج
4- بحث
1-4: اثر میدان مغناطیسی بر رشد فیلم
2-4: اثر میدان بر تونلینگ الکترون
References
[1] J.W. Diggle, T.C. Downie, C.W. Goulding, Chem. Rev. 69 (1969) 365. [2] N. Cabrera, N.F. Mott, Rep. Prog. Phys. 12 (1948–1949) 163 [3] M.M. Lohrengel, Mater. Sci. Eng., R 11 (1993) 243. [4] C.Y. Chao, L.F. Lin, D.D. Macdonald, J. Electrochem. Soc. 128 (1981) 1187. [5] L.F. Lin, C.Y. Chao, D.D. Macdonald, J. Electrochem. Soc. 128 (1981) 1194. [6] J. Liu, D.D. Macdonald, J. Electrochem. Soc. 148 (2001) B425. [7] D.D. Macdonald, M. Urquidi-Macdonald, J. Electrochem. Soc. 137 (1990) 2395. [8] G.E. Thompson, Y. Xu, P. Skeldon, K. Shimizu, S.H. Han, G.C. Wood, Philos. Mag. B 55 (1987) 651. [9] T.W. Hickmott, J. Appl. Phys. 87 (2000) 7903. [10] J. Lambert, C. Guthmann, C. Ortega, M. Saint-Jean, Appl. Phys. 91 (2002) 9161. [11] S.F. Lyuksyutov, P.B. Paramonov, I. Dolog, R.M. Ralich, Nanotechnology 14 (2003) 716. [12] T.Z. Fahidy, J. Appl. Electrochem. 13 (1983) 553. [13] R.A. Tacken, L.J.J. Janssen, J. Appl. Electrochem. 25 (1995) 1. [14] G. Antonoff, A. Rowley, J. Phys. Chem. 52 (1948) 1105. [15] A. Chiba, K. Kawazu, O. Nakano, T. Tamura, S. Yoshihara, E. Sato, Corros. Sci. 36 (1994)
Effects of a magnetic field on growth of porous alumina films on aluminum
Adriana Ispas a, Andreas Bunda, Igor Vrublevsky b, a Technische Universitt Dresden, Physikalische Chemie und Elektrochemie, 01062 Dresden, Germany b Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics Minsk, Department of Micro and Nanoelectronics, 220013 Minsk, Belarus
abstract
The effects induced by a magnetic field on the oxide film growth on aluminum in sulfuric, oxalic, phosphoric and sulfamic acid, and on current transients during re-anodizing of porous alumina films in the barrier-type electrolyte, were studied. Aluminum films of 100 nm thickness were prepared by thermal evaporation on Si wafer substrates. We could show that the duration of the anodizing process increased by 33% during anodizing in sulfuric acid when a magnetic field was applied (0.7 T), compared to the process without a magnetic field. Interestingly, such a magnetic field effect was not found during anodizing in oxalic and sulfamic acid. The pore intervals were decreased by ca. 17% in oxalic acid. These findings were attributed to variations in electronic properties of the anodic oxide films formed in various electrolytes and interpreted on the basis of the influence of trapped electrons on the mobility of ions migrating during the film growth. The spin dependent tunneling of electrons into the surface layer of the oxide under the magnetic field could be responsible for the shifts of the current transients to lower potentials during re-anodizing of heat-treated oxalic and phosphoric acid alumina films. © 2010 Elsevier Ltd. All rights reserved
1. Introduction
Two types of alumina films can be obtained by aluminum anodizing in different electrolytes. In neutral boric acid and ammonium borate solutions, barrier-type alumina films are formed, while in sulfuric, phosphoric, and oxalic acid solutions porous-type alumina films can be obtained. The above-mentioned classification is based on the solubility of the oxide layer in the corresponding solutions [1]. The oxide formation on valve metals such as Al, Hf, Nb and Ta is generally described by the Cabrera–Mott model which is based on a thermally activated mechanism of the ionic transport in the oxide [2,3]. This model was further refined by Macdonald and coworkers on the basis of new experimental results [4,5]. Macdonald assumed that the anodic oxide film during anodizing contains high concentrations of point defects such as cation vacancies, anion vacancies, electrons and electron holes and proposed the “Point Defect Model” taking into account the electron contribution in film oxide growth kinetics. The anodizing mechanism proposed by Macdonald describes successfully anodic oxide growth processes on such metals as Fe and Ni [6,7]. However, for wide-gap insulators such as alumina, there is almost no experimental evidence in the literature regarding the influence of point defects on film oxide growth kinetics
چکیده
اثرات القا شده ناشی از میدان مغناطیسی ر رشد فیلم اکسید بر روی الومینیوم در اسید فسفریک ، اگزالیک، و سولفوریک و سولفامیک وتغییرات گذرادر جریان انودیزینگ مجدد از فیلم الومینا در الکترولیت نوع مانع مورد مطالعه قرار گرفت. فیلم های الومینیوم با ضخامت 100 نانو متر بر روی بستر های Siاماده شدند. توانستیم نشان دهیم که افزایش طول مدت فرایند انودایزه شده در جریان اندیزینگ در اسید سولفوریک 32 درصد هنگامی که یک میدان مغناطیسی اعمال شد در مقایسه با روند بدون میدان مغناطیسی بود. جالب است چنین اثر میدان مغناطیسی در جریان اندیزینگ اگزالیک و سولفامیک یافت نشد. در اگزالیک حدود فواصل منافذ 17 درصد کاهش یافت. این یافته ها منسوب به تغییرات در خواص الکترونیکی از فیلم اکسید اندی در الکترولیت های مختلف تشکیل شده وبر اساس نفوذ الکترون های به دام افتاده در یون های مهاجر در رشد فیلم می باشد.چرخه وابسته به تونلینگ الکترون ها به درون لایه سطحی از اکسید تحت میدان مغناطیسی می تواند برای تغییرات گذرای فعلی در جریان انودیزینگ در اگزالیک تحت گرما و اسید فسفریک پاسخگو باشد
معرفی
2 نوع از فیلم های الومین میتواند به وسیله انودیزینگ در الکترولیت های مختلف بدست اید. در اسید بوریک خنثی و محلولهای بورات امونیوم فیلم الومینا ازنوع سدی تشکیل می شود در حالیکه در اسید سولفوریک ، فسفریک و اگزالیک فیلم های الومینای نوع متخلخل ایجاد می شود. حلقه بندی فوق الذکر بر اساس حلالیت اکسید در محلولهای مربوطه می باشد. تشکیل اکسید در فلزات دریچه مانند الومینیوم Nb,Hf,Taعموما به وسیله مدل Cabrera بررسی می شود که بر اساس مکانیزم حرارتی فعال حمل و نقل یونی در اکسید شرح داده میشود. این مدل بیشتر توسط مک دونالد و همکارانش بررسی شد. مک دونالد یک فیلم اکسید اندی در جریان انودیزینگ شده را که شامل غلظت بالایی از یو نهای کاتیون- انیون و الکترون ها و حفره های الکترونی بود را فرض کرد. مکانیسم انودیزینگ پیشنهاد شده توسط مک دونالد فرایند های رشد اکسید اندی روی فلزاتی مانند FeوNi پیشنهاد می کند. رشد اکسید در هر دو رابطه فلز/ اکسید و اکسید/الکترولیت رخ می دهد. با استفاده از مارکر های زنون ثابت شد که یونهای الومینیوم خارج شده و هیدروکسیل /اکسیژن 2- در هر دو رابط ئارد می شود. هم چنین
